王曦(左)在实验室进行科研工作。
王曦,中国科学院院士,我国著名半导体材料学专家,中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日,他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。
■通讯员 何静 本报记者 黄辛
在中国,如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化,业内人士都会提到一个名字——王曦。
王曦,中国科学院院士,我国著名半导体材料学专家,中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。
3月23日,52岁的他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。
起航:产业化先要有
中国的核心SOI技术
1996年,博士毕业后的王曦前往欧洲最大的离子束材料研究基地德国罗森多夫研究中心做访问学者。1997年,中国科学院正在实施知识创新工程,时任中科院上海微系统所所长的江绵恒途经德国找到他,希望他回国发展。尽管王曦“洪堡”访问学者研究还有一年才结束,但他归心似箭,婉言谢绝了德国研究所负责人的再三挽留,于1998年6月回国。
王曦回国不久,得知一个震惊中国材料界的消息,IBM宣布将国际公认的21世纪微电子新材料SOI应用于处理器芯片生产,带动一批著名半导体跨国公司进行这项技术的开发。SOI,是Silicon-on-insulator的简称,中文译为绝缘体上的硅。国际上公认,SOI在低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用价值。
王曦意识到,提升我国SOI技术应用研究力度、实现产业化进程迫在眉睫。33岁的王曦毅然担起重任,带领科研团队,聚焦SOI材料制备中的关键技术“离子注入”,为了尽快赶上国际先进水平,夜以继日地在实验室里奋斗。奋斗迎来了曙光。2000年,离子束原位掺杂技术获得重要进展,相关论文引发国际同行高度关注。
王曦说,基础研究的科学家,要关心国家对产业的需求,将研究和国家的战略需求结合起来,他也是这么做的。让王曦和他的团队引以为豪的是,通过技术创新和研发,解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题,为我国特殊领域核心元器件自主可控作出突出贡献。
多年来,王曦致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究和产业转移转化并行,在国际学术期刊及学术会议上发表论文400余篇,申请发明专利160余项;并荣获何梁何利基金科学与技术进步奖、中国科学院杰出科技成就奖(第一完成人)、上海市科技进步奖一等奖(第一完成人)等奖项以及上海市领军人才、全国创新争先奖称号。
领航:成功实现新一代硅基材料
SOI技术成果产业化
如果说1998年到2001年是SOI走出实验室的攻坚阶段,那么从2001年开始,SOI正式面向国民经济主战场,“下海试水”了。
2001年7月,为了将科研技术应用于高端集成电路衬底材料SOI开发,王曦推动中科院上海微系统所孵化成立了上海新傲科技股份有限公司。他和SOI课题组的5位博士一同进入公司,科学家王曦转型成为董事长和CEO。
经过不懈努力,研究团队开发了超低剂量SOI工艺,在国际上独创了具有自主知识产权的注氧键合Simbond-SOI技术。王曦坦言,当自己和团队经过无数个奋战的昼夜,生产出一个个光润无瑕、晶莹剔透的“三明治”硅片的时候,大家的幸福感和激动之情溢于言表。
然而,经营管理企业,光拥有技术还远远不够,融资、设备引进、技术突破、开拓市场……所有过程都比预想的要艰难。王曦说,每一个环节遇到的波折都足以使人放弃,仅融资就谈了100多家才宣告完成。
凭着坚忍不拔的信念,王曦和他的团队协力奋战,同舟共济,挺过了一个又一个风浪。众人划桨开大船,终于实现了SOI材料产业化,填补了国内空白。中国创造的硅片,远销西方发达国家,成功实现中国微电子材料的跨越式发展。
众望所归,“高端硅基SOI材料研发和产业化”荣获2006年国家科技进步奖一等奖。上海新傲科技股份有限公司也因成功完成我国8英寸SOI材料产业化,成为了我国唯一的SOI材料研发和生产基地。
2014年,上海新傲科技股份有限公司和全球最大的SOI生产商法国Soitec签署了合作协议,巩固了双方的战略伙伴关系,树立了中国企业在国际上的地位。王曦至今仍记得,当年创业初始,自己在法国曾在Soitec门口转悠,只能和门卫聊聊天的情形;没想到,时隔多年,自己能和这家行业巨头在自己的祖国,平起平坐,握手合作。
中科院上海微系统所所长助理、新微集团(所办公司)总经理秦曦告诉记者,王曦作为企业领导人,极具创新意识,这种创新意识不仅仅表现在技术上,更体现在体制机制创新上。他推动设立创投基金,不干预投资专家的判断,他相信专业的人士对资本市场的熟稔程度远胜于科学家。
而公司执行副总裁李炜则认为,王曦具有对硅材料国际市场的敏锐观察力,他的投资决策和勇气更让人佩服,在他的决策下公司成功投资布局了2次国际收购。
当前,王曦正带领他的团队,继续行走在产业化之路上。王曦大力推动上海一批半导体重大项目,积极从材料、制造、设计全方位布局我国发展12英寸FD-SOI产业实现中国IC“弯道超车”的战略计划;发起成立国内最大的12英寸大硅片制造公司——上海新昇半导体有限公司,成功拉出我国第一根高质量12英寸单晶硅棒,2017年销售12英寸硅片近10万片,填补我国大尺寸硅片产业空白。
重任:为张江实验室
的发展而奋斗
王曦有很多不同的身份,其中之一是中国科学院和上海市人民政府联合成立的张江实验室主任。
王曦介绍说,2017年9月26日,张江实验室正式挂牌成立,开启了上海科创中心建设的崭新篇章。在短短四个多月的时间里,张江实验室各项工作取得了全方位、实质性的阶段性进展。上海超强超短激光实验装置去年实现10拍瓦放大输出,入选“十八大以来中科院20项标志性重大科技成果产出”。硬X射线自由电子激光装置项目立项建设,是国内迄今为止投资最大的重大科技基础设施。这些重大基础设施和重大创新成果为张江实验室的建设和发展奠定了坚实基础。
他希望,能通过自己的努力,助力上海建设具有全球影响力的科技创新平台,以更加开放的姿态会聚各方精英,实现科技创新对国家发展的战略支撑作用。
《中国科学报》 (2018-04-02 第6版 院所)