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光电器件研究取得新进展
 论文作者:微电子所      期刊:《光学快报》     发布时间:2007-11-21 15:18:16 小号字 中号字 大号字
 
近日,《光学快报》(Optics Letters, Vol. 32, 2906—2908(2007) )发表了微电子研究所的最新研究成果“Edge-View Photodetector for Optical Interconnects”。该成果发表后,被Nature Photonics,Vol. 1, November 2007在Research Highlights中作为头条重点介绍。
 
目前,制约芯片间光互连广泛应用的主要因素之一是技术成本太高。虽然光电器件及其阵列已发展成熟并商用化,但是要组成光链路并实用化则仍需克服较大的成本障碍。目前主流的光电器件VCSEL和PIN PD都是平面出光和受光,而芯片间的光互连传输方向也在平面上,所以要完成光波与光电器件的耦合就需要光路在耦合前转折90°,这通常都是通过45°反射镜和微透镜来实现光路的转折与耦合对准。反射镜和微透镜的组装及繁琐的光对准工序是产生光互连成本的重要部分。微电子所研究的EVPD可免去光接收端反射镜和微透镜的使用,对简化芯片间光互连结构,降低成本,促进芯片间光互连技术的实用化具有重要意义。(来源:中科院)
 
(《光学快报》(Optics Letters),Vol. 32, 2906 (2007) ,Zhihua Li, Daniel Guidotti )
 
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